高效連續作業

與生產線無縫對接，處理速度快（如半導體晶圓每小時處理數百片），適合大規模量產。

表面改性精準可控

可通過調節氣體種類、功率、時間等參數，實現從納米級清潔到微米級刻蝕的精確控制。

無化學污染

干法工藝無需溶劑，減少廢水 / 廢氣排放，符合環保要求（如歐盟 REACH 法規）。

材料兼容性廣

適用于金屬、塑料（如 PP/PE）、玻璃、陶瓷、半導體（Si、GaN）、柔性電子（PI 膜）等。

多功能集成

可同步實現清潔、活化、刻蝕、沉積（如 PECVD 涂層）等多種功能。

低損傷處理

常壓等離子能量較低，適合對熱敏感材料（如生物芯片、光學薄膜）的表面改性。

處理寬度

100~2000mm（取決于噴嘴 / 腔室尺寸）

生產線寬度、材料規格

功率密度

0.1~10W/cm2（射頻）、10~100W/cm2（微波）

材料厚度、處理深度要求

氣體壓力

真空型：10~1000Pa；常壓型：大氣壓

等離子體類型（真空 / 常壓）

處理速度

0.1~10m/min（常壓）、0.01~1m/min（真空）

材料敏感度、工藝復雜度

均勻性

±5%（表面能或刻蝕厚度）

等離子體分布、傳動穩定性